EPC2016C
Active - GANFET N-CH 100V 18A DIE
Keterangan:
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC2016C Spesifikasi
Atribut Produk
Nilai Atribut
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Parit ke Sumber Voltan (Vdss)
100 V
Arus - Parit Berterusan (Id) @ 25℃
18A (Ta)
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 3mA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
4.5 nC @ 5 V
Kapasitans Input (Ciss) (Maks) @ Vds
420 pF @ 50 V
Penyelesapan Kuasa (Maks)
-
Suhu Operasi
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Peranti Pembekal Pakej
Die
EPC2016C Inventori: 29200
5.0 / 5.0
2020-01-12 12:22
Transistor IGBT tidak dikesan SA untuk testerach besde plus t7-h, dalam tescie untuk przelaczanie dengan-12V untuk E ditambah zarowka berkuasa 12V untuk jari yang dicetuskan C dengan Plus, zalancza dengan wylancza. Wysylka sangat pantas, penghantaran pantas, transistor dengan poj tersebar
2019-11-02 09:08
Diterima, penghantaran 1.5 bulan. Tak periksa, harap OK.
2019-11-22 04:21
Masih belum dipasang, tetapi saya berpuas hati dengan pembelian ini.
2019-12-11 03:42
Kualiti halus cemerlang, boleh dibeli tanpa rasa takut
2019-09-05 20:22
Kualiti hebat. Semua diuji dan berfungsi. Disyorkan.
Poland
