Ketibaan Baru

Kawalan kualiti

Ulasan

2N6351E3

Active - POWER BJT

Pengeluar:

Microchip Technology

Bahagian Mfr #

2N6351E3

Kategori:

Transistor - Bipolar (BJT) - Tunggal

Lembaran data:

2N6351E3

Keterangan:

POWER BJT

2N6351E3 Spesifikasi

Atribut Produk

Nilai Atribut

Kategori

Transistor - Bipolar (BJT) - Tunggal

Pengeluar

Microchip Technology

Siri

-

Pembungkusan

Bulk

Status Produk

Active

Jenis Transistor

NPN - Darlington

Arus - Pengumpul (Ic) (Maks)

5 A

Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)

150 V

Tepu Vce (Maks) @ Ib, Ic

2.5V @ 10mA, 5A

Arus - Potongan Pengumpul (Maks)

1μA

Gaun Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 5V

Kuasa - Maks

1 W

Kekerapan - Peralihan

-

Suhu Operasi

-65 ℃ ~ 200 ℃

Jenis Pemasangan

Through Hole

Pakej / Sarung

TO-205AC, TO-33-4 Metal Can

Pakej Peranti Pembekal

TO-33

2N6351E3 Inventori: 1600

Harga Sejarah

$29.70000

5.0 / 5.0

Wojciech Kwiatkowski

Poland

2019-08-12 12:06

Transistor IGBT tidak dikesan SA untuk testerach selain plus t7-h, dalam tescie untuk przelaczanie dengan-12V untuk E ditambah zarowka berkuasa 12V untuk jari yang dicetuskan C dengan Plus, zalancza dengan-wylancza. Wysylka sangat pantas, penghantaran pantas, produk bagus jakosci, sangat kami

Carlos Eduardo

Brazil

2019-11-08 05:43

Hai, pesanan saya sampai semua OK OK OK sampai semua OK OK OK vededor yang hebat dan satu aplikasi yang saya cadangkan semua OK OK OK OK

Gisele Nascimento

Brazil

2019-06-10 14:16

Penjual hebat
Kemas kemas dan
berasingan Disyorkan

Andrius Mindaugas

Lithuania

2019-08-15 02:13

Semua seperti dalam penerangan. Penghantaran ke Lithuania 23 hari