FDMS86200
Active - MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Keterangan:
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMS86200 Spesifikasi
Atribut Produk
Nilai Atribut
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Parit ke Sumber Voltan (Vdss)
150 V
Arus - Parit Berterusan (Id) @ 25℃
9.6A (Ta), 35A (Tc)
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250μA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Kapasitans Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2715 pF @ 75 V
Penyelesapan Kuasa (Maks)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Suhu Operasi
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Peranti Pembekal Pakej
8-PQFN (5x6)
Pakej / Sarung
8-PowerTDFN
FDMS86200 Inventori: 48800
5.0 / 5.0
2019-11-22 04:21
Masih belum dipasang, tetapi saya berpuas hati dengan pembelian ini.
2019-12-11 03:42
Kualiti halus cemerlang, boleh dibeli tanpa rasa takut
2019-09-05 20:22
Kualiti hebat. Semua diuji dan berfungsi. Disyorkan.
2019-09-24 09:48
penghantaran pantas. kualiti baik. saya cadangkan kepada semua orang
2019-08-12 12:06
Transistor IGBT tidak dikesan SA untuk testerach selain plus t7-h, dalam tescie untuk przelaczanie dengan-12V untuk E ditambah zarowka berkuasa 12V untuk jari yang dicetuskan C dengan Plus, zalancza dengan-wylancza. Wysylka sangat pantas, penghantaran pantas, produk bagus jakosci, sangat kami
Brazil
