Ketibaan Baru

Kawalan kualiti

Ulasan

K4E8E324EB-EGCG

EOL - IC DRAM LPDDR3 8 Gb 2133 Mbps

Pengeluar:

Samsung Semiconductor

Bahagian Mfr #

K4E8E324EB-EGCG

Kategori:

Ingatan

Lembaran data:

K4E8E324EB-EGCG

Keterangan:

IC DRAM LPDDR3 8 Gb 2133 Mbps

K4E8E324EB-EGCG Spesifikasi

Atribut Produk

Nilai Atribut

Kategori

Ingatan

Pengeluar

Samsung Semiconductor

Siri

-

Pembungkusan

Tray

Status Produk

EOL

Jenis Memori

Volatile

Format Memori

DRAM

Teknologi

LPDDR3

Saiz Memori

8 Gb

Organisasi Memori

x32

Antara Muka Memori

Parallel

Kekerapan Jam

-

Masa Kitaran Tulis - Word, Halaman

-

Masa Capaian

-

Voltan - Bekalan

1.8 / 1.2 / 1.2 V

Suhu Operasi

-25 ~ 85 ℃

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Sarung

178 FBGA

Pakej Peranti Pembekal

178 FBGA

K4E8E324EB-EGCG Inventori: 30000

Harga Sejarah

0

5.0 / 5.0

Victor Caron

France

2019-07-25 11:59

Menghantar perlindungan yang baik dengan pantas dan patuh

Nicholas Murphy

United States

2019-09-01 17:27

Tiba dengan sempurna OK! Mengesyorkan penjual dan produk!

Valentina Rossi

Italy

2019-11-24 10:33

Semua sempurna, semua seperti yang digambarkan sangat berpuas hati.

Darius Petras

Lithuania

2019-06-27 07:46

Tiga minggu. Terima kasih. Покуп bukan yang pertama. Semua thyristor

Ricardo Peña

Spain

2019-11-22 01:30

Semuanya baik-baik saja.

K4E8E324EB-EGCG

K4E8E324EB-EGCG Spesifikasi

K4E8E324EB-EGCG Inventori: 30000

K4E8E324EB-EGCG Bahagian yang berkaitan