Kategori
Ketibaan Baru
Kawalan kualiti
Ulasan
Laman Utama  /  Semikonduktor diskret  /  Transistor - FET, MOSFET - RF  /  STMicroelectronics PD20010-E

PD20010-E

Active Icon Obsolete - TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
PD20010-E
PD20010-E
STMicroelectronics
Pengeluar:
Bahagian Mfr #
Lembaran data:
Keterangan:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
 
3D Model Icon

PD20010-E Spesifikasi

Atribut Produk
Nilai Atribut
Pengeluar
Siri
-
Pembungkusan
Tube
Status Produk
Obsolete
Jenis Transistor
LDMOS
Kekerapan
2GHz
Kenaikan
11dB
Voltan - Ujian
13.6 V
Kadaran Semasa (Amp)
5A
Angka Bunyi
-
Arus - Ujian
150 mA
Kuasa - Output
10W
Voltan - Dinilai
40 V
Jenis Pemasangan
-
Pakej / Sarung
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Pakej Peranti Pembekal
PowerSO-10RF (Formed Lead)

PD20010-E Inventori: 17600

Harga Sejarah
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Júnior
Location Icon Brazil
5 stars
2019-11-22 04:21
Masih belum dipasang, tetapi saya berpuas hati dengan pembelian ini.
Author Icon
Lucas
Location Icon Brazil
5 stars
2019-12-11 03:42
Kualiti halus cemerlang, boleh dibeli tanpa rasa takut
Author Icon
Flávio Almeida Santos
Location Icon Brazil
5 stars
2019-09-05 20:22
Kualiti hebat. Semua diuji dan berfungsi. Disyorkan.
Author Icon
Agata Kwiatkowska
Location Icon Poland
5 stars
2019-09-24 09:48
penghantaran pantas. kualiti baik. saya cadangkan kepada semua orang
Author Icon
Wojciech Kwiatkowski
Location Icon Poland
5 stars
2019-08-12 12:06
Transistor IGBT tidak dikesan SA untuk testerach selain plus t7-h, dalam tescie untuk przelaczanie dengan-12V untuk E ditambah zarowka berkuasa 12V untuk jari yang dicetuskan C dengan Plus, zalancza dengan-wylancza. Wysylka sangat pantas, penghantaran pantas, produk bagus jakosci, sangat kami

PD20010-E Bahagian yang berkaitan

PD20010-E
PD20010S-E
PD20010STR-E
PD20010TR-E
PD20015-E
PD20015S-E
Permintaan Sebut Harga
Nombor bahagian *
Pengeluar
Hubungi *
E-mel *
Kuantiti Pertanyaan *
Negara Penghantaran *